真空離子鍍膜

真空離子鍍膜是一種新興的真空鍍膜技術，由于其工藝操作都在真空狀態(tài)下完成，對環(huán)境沒有污染，而且鍍層品質優(yōu)越，因此在一些工業(yè)應用中逐漸用來代替電鍍等污染較為嚴重的傳統(tǒng)鍍膜方式。

真空離子鍍膜不同于普通的真空鍍膜，它是在真空室中，利用氣體放電或被蒸發(fā)物質部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質離子轟擊作用的同時，將蒸發(fā)物質或其反應物沉積在基片上。它將氣體輝光放電現(xiàn)象、等離子體技術以及真空蒸發(fā)三者有機結合，不僅提高了膜層質量，還擴大了薄膜應用范圍。

真空離子鍍膜技術在1963年就有學者提出并實驗，70年代空心陰極技術開始應用于鍍膜，到80年代，真空離子鍍膜達到了工業(yè)應用水平。

真空離子鍍膜的大致工作過程如下：先將真空室抽至4×10-3Pa以上的真空度，再接通高壓電源，在蒸發(fā)源與基片建建立低壓氣體放電的低溫等離子區(qū)；基片電極接上5kV直流負高壓，形成輝光放電陰極；負輝光區(qū)附近產生的惰性氣體離子進入陰極暗區(qū)被電場加速并轟擊基片表面，對其進行清洗；然后進入鍍膜過程，加熱使鍍料氣化，其原子進入等離子區(qū)，與惰性氣體離子及電子發(fā)生碰撞，少部分離化；離化后的離子及氣體離子以較高的能量轟擊鍍層表面，使鍍層質量得到改善。

真空離子鍍膜按鍍料氣化方式及原子分子電離和激活方式，可以分成很多種類。根據蒸發(fā)源的加熱方式來區(qū)分的話，主要有直流放電二級型離子鍍（DCIP）、多陰極離子鍍、空心陰極離子鍍（HCD）、活性反應離子鍍（ARE）、射頻放電離子鍍（RFIP）、電弧離子鍍等等。